Efeito Polarônico em Pontos Quânticos Semicondutores Compostos de GaAs-AlGaAs

Solemar S. Oliveira; Eduardo M. Toledo

doi:10.19142/rpq.v4i8.119

Solemar S. Oliveira Ciências Exatas e Tecnológicas, Universidade Estadual de Goiás (UEG)
Eduardo M. Toledo Ciências Exatas e Tecnológicas, Universidade Estadual de Goiás (UEG)

DOI: https://doi.org/10.19142/rpq.v4i8.119

Palavras-chave: GaAs-AlGaAs. Pontos quânticos. Efeito polarônico.

Resumo

Neste trabalho apresentamos as correções na estrutura de estados (espectro de energia e densidade de estados) eletrônicos, presente em pontos quânticos semicondutores compostos de GaAs-AlGaAs, devido aos efeitos causados pela interação do elétron (efeito polarônico) com os modos de fônons Longitudinais Ópticos (LO) presentes no material. Utilizaremos o formalismo da função de Green e um método matemático não-perturbativo, baseado no procedimento de ortogonalização de Gram-Schmidt, para avaliar o espectro de energia e a densidade de estados na presença do efeito polarônico. Consideramos um sistema com apenas dois níveis eletrônicos de energia e avaliamos os efeitos da temperatura e do confi namento lateral.

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